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SiC電源技術

SiC電源技術

SiC素子を搭載した高周波誘導加熱用電源

電力損失が少なく高速動作が可能で高温特性に優れた次世代パワー半導体であるSiC-MOSFETを搭載した高周波誘導加熱電源を開発しました。
 SiC-MOSFETと当社特有の 高速スイッチング技術を融合させることで、現在の自社製電源と比較して、大幅な小型化と軽量化、高効率化が図られております。
 今後は、さらに高効率・大容量な次世代電源の開発を進めています。  


 

 


  ■SiC誘導加熱電源の特徴
   ①省エネ
    ・高変換効率(インバータ部損失50%減)
    ・電源冷却水50%減
   ②小型軽量
    ・容積40%減
    ・質量50%減
    
   *数字はすべて当社従来比