SiC電源技術

電力損失が少なく高速動作が可能で高温特性に優れた次世代パワー半導体であるSiC－MOSFETを搭載した高周波誘導加熱電源を開発しました。
SiC-MOSFETと当社特有の 高速スイッチング技術を融合させることで、現在の自社製電源と比較して、大幅な小型化と軽量化、高効率化が図られております。
今後は、さらに高効率・大容量な次世代電源の開発を進めています。