SiC電源技術
SiC素子を搭載した高周波誘導加熱用電源
電力損失が少なく高速動作が可能で高温特性に優れた次世代パワー半導体であるSiC-MOSFETを搭載した高周波誘導加熱電源を開発しました。
SiC-MOSFETと当社特有の 高速スイッチング技術を融合させることで、現在の自社製電源と比較して、大幅な小型化と軽量化、高効率化が図られております。
今後は、さらに高効率・大容量な次世代電源の開発を進めています。
■SiC誘導加熱電源の特徴
①省エネ
・高変換効率(インバータ部損失50%減)
・電源冷却水50%減
②小型軽量
・容積40%減
・質量50%減
*数字はすべて当社従来比
|
|