SiC電源技術

SiC素子を搭載した高周波誘導加熱用電源

電力損失が少なく高速動作が可能で高温特性に優れた次世代パワー半導体であるSiC－MOSFETを搭載した高周波誘導加熱電源を開発しました。
　SiC-MOSFETと当社特有の 高速スイッチング技術を融合させることで、現在の自社製電源と比較して、大幅な小型化と軽量化、高効率化が図られております。
　今後は、さらに高効率・大容量な次世代電源の開発を進めています。  

■SiC誘導加熱電源の特徴 　　　①省エネ 　　　　・高変換効率（ｲﾝﾊﾞｰﾀ部損失50%減） 　　　　・電源冷却水50%減 　　　②小型軽量 　　　　・容積40%減 　　　　・質量50%減 　　　　 　　　＊数字はすべて当社従来比 ​